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朗科科技在日本又获得一项发明专利授权基

2019-02-03 08:37:10来源:励志吧0次阅读

  朗科科技在日本"又"获得一项发明专利授权

  消息,国内移动存储技术领导厂商、创业板上市公司朗科科技(股票代码300042)宣布,2011年10月24日又收到日本发明专利证书1份,闪存介质数据管理方法在日本被授予发明专利低速离心机权。这是继2011年6月朗科科技全电子快闪外存式外部存储方法及装置意即自己虽然有理闪存盘基础性发明专利在日本被授予专利权之后,又获得一新的发明专利。半年之内我们应快乐地度过这辈子连续获得两项日本发明专利,再次验证了朗科科技强大的发明创新能力,对上市公司朗科科技而言,获得新的发明专利,无疑将进一步提高公司专利运营的基础实力,其专利运营的业务范围也随之进一步扩大。

  第号发明专利闪存介质数据管理方法提供了一种全新的闪存介质数据管理方法,其包括以下步骤:将闪存介质分区;通过扫描闪存介质各看完了这几个故事区中存储块内的逻辑地址,生成区地址映射表;将上述区地址映射表存放于各区中相应的备用块内;通过将区地址映射表读出至RAM内进行逻辑地址和物理地址之间的转换,实现闪存介质内的数据操作。由于将区地址映射表存放于各相应区的备用块中,当闪存介质针对记录于数据块中的进行数据操作而需要切换到下一区的区地址映射表时,根据存放于下一区中备用块内的区地址映射表即可将所需数据读出,而无需针对下一区内的每个存储块进行扫描,动态生成新的区地址映射表,因此,该闪存介质数据管理方法可以节省数据操作的时间,从而实现闪存介质数据的高效管理。NTS传感器/p>

  早在2006年9月25日,朗科科技即向日本高速公路隔音屏障特许厅提交了此发明专利的申请文件,历时5年之后,经日本特许厅审理,于2011年9月30日予以正式授权。朗科科技已于2011年10月24日收到该发明专利的授权证书。

  图为日本特许厅授权的发明专利证书

  朗科科技作为全球闪存应用及移动存储领域的开拓者和基础专利持有者,公司始终坚持自主创新研发战略,通过不断加强闪存应用及移动存储技术创新投入,不断开发新一代闪存控制技术以及新的闪存应用领域,巩固行业领导地位。依托严密广泛的专利池和比较完整的专利布局

朗科科技在日本又获得一项发明专利授权基

,公司成功开创了业内独有的专利盈利模式,并通过专利运营与产品运营实现盈利的持续增长。

  据了解,朗科科技拥有闪存盘、闪存应用及移动存储领域多项基础性及核心发明专利,截至2011年9月30日止,公司专利及专利申请总量为335项,其中拥有已授权专利164件(其中发明专利142件),已提出申请尚未授权的发明专利申请167件,公司拥有国内商标及商标申请共计108项。以上发明专利及专利申请分布于中国、美国、欧洲、韩国、日本、印度、新加坡、中国香港、中国台湾等全球数十个国家和地区。

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